Speichertechnik EPROM

Electrically Programmable ROM

Eine Zelle besteht aus einem Feldeffekttransistor (FET) mit einem integrierten Floating Gate (FG)

Das FG ist eine Silizumschicht, im Kanal des FET, diene weiteres verlassen.

 

Schreiben/Programmieren

Mit Spannungen von 40-50V wurden die Elektronen auf das F6 gebracht. Sie sind dann durch den Kanal auf das F6 diffundiert.

Elektronen auf dem FG -> logisch 1

Keine Elektronen auf dem FG -> logisch 0

-> Strom         oder kein    Strom

-> Spannung  oder keine  Spannung

 

Löschen

Mit UV-Licht (20min.) wurden die Elektronen auf dem FG mit Energie versorgt.

Eine umgekehrt angelegte Löschspannung ermöglichte es den Elektronen das FG zu verlassen.

 

Lesen

Beim Lesen ist der Unterschied zwischen Logisch 0 und Logisch 1, abhängig vom Kanalwiederstand bzw. von den Elektronen auf dem FG.

Beim lesen wird mit der Lesespannung(5V) festgestellt, ob eine „0“ oder „1“ gespeichert ist.

 

Speicherung

Die Elektronen können das FG nicht verlassen. Auch bei Wegnahme der Betriebsspannung bleiben die Elektronen auf dem FG „gefangen“. -> Daher bleiben gespeicherte Daten beibehalten.